FDB86135
Fairchild/ON Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDB86135 |
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Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $4.1832 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263AB) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 75A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.4W (Ta), 227W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7295pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
FDB86135 Einzelheiten PDF [English] | FDB86135 PDF - EN.pdf |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
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FDB86366 FAIRCHILD
FAIRCHILD TO-263
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MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263
FDB86363_F085 Fairchild/ON Semiconductor
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDB86135Fairchild/ON Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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